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存儲(chǔ)價(jià)穩(wěn),銅價(jià)震蕩,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈承壓"上頂下托"

發(fā)布時(shí)間:2025-12-26 18:22 編輯:有色 來源:互聯(lián)網(wǎng)
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近期存儲(chǔ)市場呈現(xiàn)"現(xiàn)貨價(jià)格高位盤整、成本倒掛壓力加劇"的復(fù)雜格局。TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,DDR4、DDR5模組價(jià)格連續(xù)多日小幅上漲,金士頓等頭部廠商本周再度上調(diào)DRAM報(bào)價(jià),但NAND閃存現(xiàn)貨市場因供應(yīng)商惜售策略

近期存儲(chǔ)市場呈現(xiàn)"現(xiàn)貨價(jià)格高位盤整、成本倒掛壓力加劇"的復(fù)雜格局。TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,DDR4、DDR5模組價(jià)格連續(xù)多日小幅上漲,金士頓等頭部廠商本周再度上調(diào)DRAM報(bào)價(jià),但NAND閃存現(xiàn)貨市場因供應(yīng)商惜售策略,晶圓價(jià)格持續(xù)攀升,部分存儲(chǔ)成品已陷入"成本漲幅超成品提價(jià)"的倒掛困境。這一現(xiàn)象折射出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游原材料成本傳導(dǎo)的滯后性,以及全球供應(yīng)鏈韌性面臨的新考驗(yàn)。 

銅價(jià)波動(dòng)加劇存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈成本壓力

存儲(chǔ)芯片制造高度依賴銅材作為電路基材,銅箔作為導(dǎo)電層核心材料,其價(jià)格波動(dòng)直接影響生產(chǎn)成本。根據(jù)金屬網(wǎng)監(jiān)測,2025年12月4.5μm鋰電銅箔均價(jià)觸及127,500元/噸,顯著上漲,成本傳導(dǎo)效率不足導(dǎo)致企業(yè)毛利率承壓。印尼鎳鈷冶煉項(xiàng)目因基礎(chǔ)設(shè)施延遲投產(chǎn),加劇銅箔原料供應(yīng)緊張,存儲(chǔ)廠商采購成本持續(xù)攀升。 

供需錯(cuò)配下的市場博弈

存儲(chǔ)市場當(dāng)前呈現(xiàn)"結(jié)構(gòu)性短缺"特征:AI服務(wù)器、自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域?qū)Ω唠A存儲(chǔ)需求激增,但傳統(tǒng)消費(fèi)電子需求疲軟導(dǎo)致產(chǎn)能分配失衡。盡管TrendForce預(yù)測2026年全球DRAM產(chǎn)能將增長12%,但極薄化、高頻高速銅箔產(chǎn)能擴(kuò)張滯后,制約高端存儲(chǔ)產(chǎn)品交付能力?,F(xiàn)貨市場出現(xiàn)"中間商拋售庫存、廠商囤貨待漲"的博弈局面,DDR5模組現(xiàn)貨溢價(jià)率擴(kuò)大至15%,而NAND晶圓因供應(yīng)商惜售,實(shí)際成交價(jià)較合約價(jià)高出8%-10%。 

技術(shù)迭代與政策干預(yù)重塑行業(yè)格局

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向3nm以下制程推進(jìn),推動(dòng)銅箔向超薄化、高純度方向升級(jí)。臺(tái)積電3nm工藝銅箔線寬需控制在15μm以內(nèi),對(duì)銅箔平整度、抗拉強(qiáng)度提出更高要求。與此同時(shí),歐盟碳邊境調(diào)節(jié)機(jī)制(CBAM)全面實(shí)施,要求出口存儲(chǔ)產(chǎn)品需通過綠電銅箔認(rèn)證,再生銅箔使用比例不得低于30%,倒逼企業(yè)加速技術(shù)改造。 

后市展望:成本壓力倒逼產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

短期來看,銅價(jià)高位震蕩與存儲(chǔ)產(chǎn)品漲價(jià)滯后的矛盾將持續(xù)擠壓廠商利潤空間,行業(yè)或迎來新一輪洗牌。中長期而言,半導(dǎo)體與新能源產(chǎn)業(yè)的深度融合將催生新的需求增長點(diǎn):AI芯片集成度提升帶動(dòng)高密度封裝銅箔需求,新能源汽車智能化趨勢推動(dòng)車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)芯片用量倍增。

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